kSA 400 RHEED分析系统，适合各种RHEED系统和薄膜沉积系统（如：脉冲激光沉积设备PLD,溅射系统Sputtering,分子束外延MBE, 金属有机化学气象沉积MOCVD等）！目前第四代系统结合新的硬件和软件，为客户提供丰富的RHEED分析信息。
kSA 400 RHEED分析系统 超过500个用户，国内如南京大学、中科院半导体所、电子部11所、中国科技大学、复旦大学、上海技术物理研究所等；
技术参数：
CCD系统：高速、高分辨和高灵敏度三种可选
光学系统：RHEED定量分析及成像分析
标准接口法兰
主要特点：
图像分析：单一图像分析（静态分析）模式，用户选择多图像模式，聚焦模式，扫描模式，录像模式，交互图像叠加模式，2D和3D图像分析；
实时衍射条纹演化监控拍摄；
实时薄膜沉积速率测量；
原位表面诊断分析
软件分析功能
RHEED振荡追踪检测
可扩展：Phase Locked Epitaxy (PLE), LEED, Auger/XPS,电子枪控制和摇摆曲线扫描；
专业的RHEED分析系统(kSA 400 Analytical RHEED System)，适合各种RHEED系统和薄膜沉积系统（如：脉冲激光沉积设备PLD,溅射系统Sputtering,分子束外延MBE, 金属有机化学气象沉积MOCVD等）！目前第四代系统结合新的硬件和功能强大的软件为客户提供广泛的RHEED分析信息。kSA 400 RHEED分析系统，适合各种RHEED系统和薄膜沉积系统（如：脉冲激光沉积设备PLD,溅射系统Sputtering,分子束外延MBE, 金属有机化学气象沉积MOCVD等）！目前第四代系统结合新的硬件和软件，为客户提供丰富的RHEED分析信息。
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