半导体电子工业材料用纳米氧化锡

UG-S20;UG-S50纯 度:光谱法分析测试杂质含量。晶粒度:X衍射(XRD)线宽化法平均晶粒的测定。颗粒度:GB/T13221纳米粉末粒度分
 UG-S20;UG-S50

纯 度:光谱法分析测试杂质含量。

晶粒度:X—衍射(XRD)线宽化法平均晶粒的测定。

颗粒度:GB/T13221纳米粉末粒度分布的测定 X射线小角度散射法;GB/T13390粉末比表面的测定—氮吸附法(BET):透射电镜(TEM)观察。

比表面积:GB/T13390粉末比表面的测定—氮吸附法(BET)。

 

参数指标:

品名

纳米二氧化锡

平均粒径

20nm  50nm

纯度

99.8%

比表面积

50m2/g  15m2/g

 

主要用途:

①化工原料,ITO等半导体电子工业材料,

②陶瓷釉料的遮光剂、乳浊剂、着色剂,气敏元件材料,

③导电陶瓷及电极材料,抗菌材料,低辐射玻璃,抗静电材料,有机合成催化剂,锡盐,织物媒染剂和增重剂,钢和玻璃的磨光剂等。

④银锡触头材料。银氧化锡触头材料是近年发展迅速的新型环保电触头材料,是替代传统银氧化镉触头的理想材料;

⑤塑料和建筑行业的抗静电添加剂;

⑥用于平板和CRT(阴极射线管)显示的透明导电材料;

⑦电工及电子元件;

⑧用于熔炼特种玻璃的氧化锡电极 ;

⑨用于光催化抗菌材料等。

 

手机:15862568573   QQ:2845241204  电话:0512-63025683

 

苏州优锆纳米材料有限公司 发现材料之美 创造科技之光

 

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